シリコン ハンノウセイ イオン エッチング オ モチイタ カンツウ デンキョク ノ ヒョウカ
シリコン反応性イオンエッチングを用いた貫通電極の評価 : Evaluation of through silicon via TSV using deep reactive ion etching PRIE / 右山芳国
(工学研究科電子情報工学専攻)
| データ種別 | 修士論文 |
|---|---|
| 出版者 | 福岡 : 福岡大学 |
| 出版年 | 20130319 |
| 著者標目 | 右山, 芳国 <ミギヤマ, ヨシクニ> |
| 件 名 | FREE:主査教授 友景肇 |
| 書誌ID | LT00919088 |
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| 状 態 | 巻 次 | 所 在 | 請求記号 | 資料番号 | ISBN | 刷 年 | コメント | 利用注記 | 予約・取寄 | お薦めの本 | 自動書庫 | 付録注記 |
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工学部分室開架 | 170/2012 | 1000000005667 |
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禁帯出 |
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| 本文言語 | 日本語 |
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| 一般注記 | 公開範囲 学内限定 |
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