SiC/GaN パワー エレクトロニクス フキュウ ノ ポイント
SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント / 岩室憲幸監修
| データ種別 | 図書 |
|---|---|
| 出版者 | 東京 : S&T出版 |
| 出版年 | 2018.1 |
| 形態 | 205p : 挿図 ; 26cm |
| 著者標目 | 岩室, 憲幸 <イワムロ, ノリユキ> |
| 件 名 | NDLSH:パワーデバイス |
| 分 類 | NDC9:549.8 NDC10:549.8 NDLC:ND371 |
| 書誌ID | LT01004778 |
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| 状 態 | 巻 次 | 所 在 | 請求記号 | 資料番号 | ISBN | 刷 年 | コメント | 利用注記 | 予約・取寄 | お薦めの本 | 自動書庫 | 付録注記 |
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工学部分室開架 | 549.8/I94/2 | 2000000375368 | 9784907002688 |
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書誌詳細を非表示
| 本文言語 | 日本語 |
|---|---|
| 一般注記 | 文献あり |
| NCID | BB25930783 |
| 巻冊次 | ISBN:9784907002688 |
目次／あらすじ
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