X線反射率法による誘電体薄膜/Si構造の解析と薄膜形成プロセスに関する研究 / 西川武蔵
(理学研究科応用物理学専攻)
| データ種別 | 修士論文 |
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| 出版者 | 福岡 : 福岡大学 |
| 出版年 | 20060322 |
| 著者標目 | 西川, 武蔵 |
| 件 名 | FREE:主査助教授 香野淳 |
| 書誌ID | LT00731508 |
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| 状 態 | 巻 次 | 所 在 | 請求記号 | 資料番号 | ISBN | 刷 年 | コメント | 利用注記 | 予約・取寄 | お薦めの本 | 自動書庫 | 付録注記 |
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理学部分室閉架 | 99/2005 | 1000000003926 |
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禁帯出 |
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| 本文言語 | 日本語 |
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| 一般注記 | 公開範囲 学内限定 |
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